STマイクロ、SiC/IGBT向け3Aゲートドライバを発表～充電ステーションなど向け

STマイクロエレクトロニクス（以下ST）は、ゲートドライバ製品群「STGAP3Sファミリ」を拡充し、低駆動電流回路向けとなる最大3Aの新シリーズを発表した。これは、電気自動車向け充電ステーションや産業用電源などでの高効率化に貢献する。

新シリーズには、SiC（炭化ケイ素）MOSFET向けに最適化された「STGAP3S3S」と、IGBT向けの「STGAP3S3IF」が含まれる。両製品は、スイッチング損失の低減と安定したゲート駆動を実現する。

STGAP3Sファミリの全ドライバは、力率補正（PFC）回路や電源ユニット、DC/DCコンバータ、インバータにおいて最大1200Vの高電圧レールで動作する。UL 1577やIEC 60747-17などの国際的な安全・絶縁認証を取得しており、高電圧環境下での長期的な信頼性が確認されている。

新シリーズは、低駆動電流回路向けに設計されており、ゲート駆動に必要な電力を最適化することで、システム全体の効率向上と部品点数の削減が期待できる。特に充電ステーションの電源回路では、高電圧・大電流のスイッチングを安定的に制御できる。

STマイクロは、再生可能エネルギーや電気自動車関連市場の拡大に対応するため、STGAP3Sファミリのラインアップを継続的に強化していく方針だ。新製品により、設計者はより安全で信頼性の高いパワーエレクトロニクスシステムを開発できるとしている。