三菱電機、第5世代SiC-MOSFETでオン抵抗25%低減　EV航続延伸へ

三菱電機は2026年5月29日、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターやeAxle向けに、新たに開発した第5世代SiC-MOSFETチップ2品種のサンプル提供を開始したと発表した。このチップは炭化ケイ素を用いた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタで、同社独自のトレンチ構造を採用している。

新製品は従来の第4世代トレンチ型SiC-MOSFETと比較して、オン抵抗を約25%低減し、業界トップクラス（2026年5月29日現在、同社調べ）の低オン抵抗を実現した。オン抵抗が小さいほど導通時の電力損失が減り、発熱も抑えられるため、性能向上に直結する。

オン抵抗とは、パワー半導体がスイッチオン状態のときにドレイン・ソース間に生じる抵抗値で、この値が低いほどエネルギー効率が高まる。同社は半導体の微細加工技術を応用し、チップサイズを維持しながら抵抗値を下げることに成功した。

この低オン抵抗により、EVの駆動システムにおける電力損失が大幅に削減され、同じバッテリー容量でより長い航続距離を実現できる。また、発熱抑制効果から冷却システムの簡素化も可能となり、車両全体の軽量化やコスト低減にも貢献する。

三菱電機は今後、複数の自動車メーカーと協業して評価を進め、2028年度中の量産開始を目指す。同社はSiCパワー半導体のラインアップを拡充し、電動車市場での競争力強化を図るとしている。