オンセミ、GaNパワー半導体「GaNEXUS」発表、AIデータセンターやEV向け高効率化

半導体メーカーのオンセミ（米国アリゾナ州）は、窒化ガリウム（GaN）を用いたパワーデバイスシリーズ「GaNEXUS」を発表した。

初期製品として、40～650V対応のGaNEXUS FETと、保護回路を内蔵した650V品のGaNEXUS Smart GaN FETをラインアップする。米国ではサンプル出荷を開始済みで、日本での提供時期は未定としている。

GaNEXUSは、AIデータセンターの電源、48Vシステム、ロボットや産業オートメーション、エネルギーインフラなど、高電力を要する用途を想定している。

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