IBM、世界初の1ナノ未満半導体技術を開発 AI性能向上と省電力化へ

米IT大手IBMは25日、回路線幅が1ナノメートル（ナノは10億分の1）未満の世代に相当する次世代半導体技術を開発したと発表した。0.7ナノメートル世代に相当する技術で、1ナノ未満の半導体技術の発表は「世界初」という。生成人工知能（AI）の処理性能向上や省電力化につながると期待され、早ければ5年以内の実用化を見込む。

爪ほどの大きさのチップに約1000億個のトランジスタを搭載した。2021年に発表した2ナノ半導体と比べ、集積度は約2倍となり、性能は最大50％向上、電力効率は最大70％改善できる見通しという。

新たに「ナノスタック」と呼ばれる3次元構造を採用した。垂直に積み重ねたトランジスタを水平方向にずらして配置することで、高密度化を実現したという。

半導体は、集積度が約2年ごとに倍増するという「ムーアの法則」に沿って微細化が進み、性能を高めてきたが、近年は物理的限界が指摘されている。IBMは今回の技術により、今後少なくとも10年間は微細化を継続できるとの見通しを示した。

今回の発表は、AI時代における半導体の性能向上と省電力化への重要な一歩と位置づけられ、今後の実用化と業界への影響が注目される。（共同）